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UNIVO推出适用于辐射照射应用的LVDT位置传感器

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UNIVO推出了一系列新型抗辐射LVDT,可在高压灭菌器,粒子加速器,核电站,潜艇,航天器和其他辐射照射应用中提供关键位置测量。这些交流操作的线性位置传感器由耐辐射和硬化材料制成,可在苛刻的辐射环境中连续运行,不会发生故障或衰减。单位额定可承受高达100 MRad的总积分通量,并已成功测试高水平的辐射暴露。


UNIVO抗辐射LVDT最常见的应用包括测量核燃料棒,控制棒,核电站中的蒸汽和控制阀,导弹翅片,海底阀门和散热片的位置,以及空间物体的执行器和部件。例如,在包含多个控制阀的发电厂中,这些抗辐射位移传感器提供关于阀位置的准确且可靠的反馈,以提高操作效率。

UNIVO在大多数标准和半定制AC操作LVDT以及温度等级从低温到500°C的位置传感器上提供抗辐射选项。还提供其密封版本的单位。在没有任何内部电子电路的情况下,线性位置传感器在辐射值可以超过具有内部电子器件的DC操作传感器的极限的辐射区域中操作。相关的信号调理电子设备可以在屏蔽位置保持安全 - 有时距离传感器数百英尺。

防辐射位置传感器具有高分辨率,出色的可重复性,抗冲击和抗振动性以及高平均故障间隔时间。

详细信息请点击连接了解更多:http://www.univotec.com/index.php?case=archive&act=show&aid=332

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